氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：N
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式对外发布第三代快速（G3
碳化硅MOSFETs产品系列，为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化，
N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载
75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》材料免费下载
50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载
10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC材料文档.pdf》材料免费下载
近来，国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度改写业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A
封装IGBT单管 /
-2封装，具有2个引脚，不只增加了安规间隔，提高了可靠性，并且适用于多种使用场景。
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（
/6A SiC二极管 /
巴图自动化Modbus协议转Profinet协议网关模块连智能仪表与PLC通讯
巴图自动化Profinet协议转Modbus协议网关模块衔接智能仪表与PLC通讯
嵌入式学习-飞凌嵌入式ElfBoard ELF 1板卡-在NXP源码基础上适配ELF 1开发板的按键功用
